Емкость: 1 ТБ. Форм-фактор: M.2 2280. Интерфейс подключения: PCIe Gen4 x4. Протокол: NVMe 1.4. Тип флеш-памяти: 3D NAND (высокоплотная структура). Скорость последовательного чтения: До 5000 МБ/с. Скорость последовательной записи: До 3200 МБ/с. Скорость случайного чтения (4KB, IOPS): До 680 000. Скорость случайной записи (4KB, IOPS): До 850 000. Ресурс записи (TBW): 250 ТБ. Время наработки на отказ (MTBF): 1 500 000 часов. Поддержка технологий: TRIM, S.M.A.R.T., LDPC ECC (исправление ошибок), сквозная защита данных (E2E Data Protection), APST (Autonomous Power State Transition). Энергопотребление: До 4.1 Вт в рабочем режиме. Габариты: 80.0 x 22.0 x 2.15 мм. Вес: 7 г.